"Проблемы сканирующей электронной микроскопии при измерениях критических размеров элементов интерконнект микросхем"

"Challenges of SEM-based critical dimension metrology of interconnect"

Авторы: В. Украинцев†, С. Джессен‡, Б. Микеска‡, К. Салли† и В. Хватков†

†Nanometrology International, Inc., Allen, Texas, USA
‡Texas Instruments, Inc., Dallas, Texas, USA
†Smart Imaging Technologies, Houston, Texas, USA


Полупроводниковые технологии перешли 50-ти нанометровый предел критических размеров, бросив беспрецедентный вызов метрологии. В нескольких публикациях последнего времени по сканнирующей электронной микроскопии (СЭМ) были описаны процессы улавливания вторичных электронов узкими и глубокими интерконнект структурами, влияющие на сигнал  микроскопа.

В данной работе мы использовали атомно-силовой микроскоп критических размеров (CDAFM) для проверки точности и неопределенности измерений размеров траншей и дырок (trenches and holes) при помощи СЭМ. Систематическая погрешность СЭМ в значительной степени зависит от периода гребёнки и размера структуры (траншеи или дырки). Диапазон изменения систематической погрешности (bias) превысил 18 нм для группы образцов, используемых в эксперименте.

Эти результаты ставят под сомнение пригодность СЭМ метрологии (в настоящей её форме), для моделирования Optical Proximity Correction и контроля процессов полупроводникового производства.

Необходимы моделирование и коррекция систематической погрешности СЭМ.

Читать